-
1 высокочистые вещества
высокочистые вещества
Простые хим. элементы и сложные вещ-ва, содерж. примесей от 10~'до 10~8 мас. %, но slO"3 мас. %. Такие вещ-ва играют важную роль в полупроводник. пром-ти, атомной энергетике, волоконной оптике и т.д. Для каждого полупроводник. вещ-ва существует свой набор примесей, назыв. лимитируемыми, которые мешают проявл. необх. св-в. Высокочистые вещ-ва, в к-рых остат. содерж. лимитир. примесей таково, что начинают проявляться треб. св-ва полупроводника, называются вещ-вами особой чистоты. В наст, время это 10"*-10~7 мас. %. Единой междунар. классификации вещ-в по степени их чистоты не существует. В отеч. пром-ти существует классификация вещ-в особой чистоты. Вещ-ву присваивается марка, указывающая на число лимитир. примесей и их суммарное содержание, напр., «ОСЧ 10-6» означает, что определено 10 лимитир. примесей неорганич. вещ-в с их суммарной мас. долей 10"* %. Если контролируются только примеси органич. вещ-в, то марка записывается, напр., «ОП-3 ОСЧ», в к-рой указана мас. доля органич. примеси (ОП) 10~3 %. Если контролируются примеси той и другой природы, то соотв. марка, напр., «ОП-3 ОСЧ 8-4», указывает на суммарную мас. долю орган. примесей 10~3 %, и суммарную мас. долю восьми лимитир. неорганич. примесей 10~4 %.
Получение высокочистых вещ-в заключается в их глубокой очистке или в очистке исх. вещ-в для их синтеза. В основе хим., дистилляц., кристаллизац., электрохим. и др. методов глубокой очистки лежат методы разделения, использ. к.-л. разделит, эффект, обусловл. различием св-в осн. вещ-ва и примеси.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > высокочистые вещества
-
2 высокочистые вещества
Makarov: high-purity substancesУниверсальный русско-английский словарь > высокочистые вещества
-
3 плазменная металлургия
плазменная металлургия
Неорганич. полупроводниковых вещ-в и материалов и изделий из них с задан. св-вами.
Возникновение этого направления м. связано с изобретением в конце 1940-х гг. полупроводникового триода (транзистора). В н. в. класс полупроводниковых вещ-в и материалов весьма обширен (см. Полупроводниковые вещества). Для их получения применяются как методы, основ, на кристаллизации расплавов, так и методы кристаллизации из паровой (газ.) фазы. Компактные слитки и изделия можно изготовлять тж. прессованием порошков, экструзией и др. известными в металлургии методами. Полупроводниковые вещ-ва могут иметь монокристаллич., поликристаллич., нанокристаллич. и аморфную структуры.
Задача обеспеч. вые. чистоты конечного продукта от неконтролир. примесей наиб, важна в произ-ве полупроводниковых материалов. При получении (синтезе) полупроводниковых материалов использ. высокочистые исх. химич. элементы или высокочистые химич. соединения. Технологич. операции при необходимости осуществл. в спец. чистых произ-венных помещениях и боксах. Соблюдаются соответст. условия технологич. гигиены. Разработаны и использ. разнообразные методы изготовления высокочистых вещ-в и материалов: ректификац. очистка, дистилляция, возгонка, очистка на ионообменных смолах, очистка методами электрохимии, кристалли-зац. методы очистки и др. Для получения высокочистых химич. элементов или вещ-в широко применяются методы водородного восстановления, термич. разложения предварит, очищ. химич. соединений. Для выращивания монокристаллов из расплавов использ. методы Чохральского, Бриджмена, бестигельной зонной плавки, горизонт, зонной плавки. Для выращивания из паровой фазы — метод сублимации, метод газотранспортных химич. реакций, метод термич. разложения паров химич. соединений и др. Слои и пленки выращ. методами газ., жидкофазной, молекулярно-лучевой эпитаксии и рядом др. способов. Технологич. процессы и оборудование, использ. в произ-ве полупроводниковых материалов, позволяют получать малодислокац., с плотностью дислокаций s 103 см~2, и бездислокац. полупроводниковые материалы с вые. однородностью св-в. Напр., монокристаллы Si выращивают бездислокац., и при диам. 200 мм неоднородность св-в не превышает 2-5 %.
Исходя из уровня требований к кач-ву продукции и тех технологич. приемов и оборудования, с помощью к-рых достигается
необх. кач-во продукции, п. м. можно отнести к прециз. По объему выпускаемой продукции — это малотоннажное произ-во. Напр., выпуск монокристаллов Si в мировом масштабе составлял в 1994 г. ок. 7500 т. На рынок кремний большей частью поступает в виде пластин, произ-во к-рых достигло в 1994 г. около 15 млрд. см2, когда произв-во германия составляло ок. 100 т в год, арсенида галлия — десятки т, фосфидов индия и галлия — ед. т.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > плазменная металлургия
См. также в других словарях:
высокочистые вещества — Простые хим. элементы и сложные вещ ва, содерж. примесей от 10 'до 10 8 мас. %, но slO"3 мас. %. Такие вещ ва играют важную роль в полупроводник. пром ти, атомной энергетике, волоконной оптике и т.д. Для каждого полупроводник. вещ ва… … Справочник технического переводчика
высокочистые вещества — [highly purified materials] простые (химические элементы) и сложные вещества, содержат примесей от 10 6до 10 8 мас. %, но ≤10 3 мас. %. Такие вещества играют важную роль в полупроводниковой промышленности, атомной энергетике, волоконной оптике … Энциклопедический словарь по металлургии
Вещества — [materials]. Смотри также: радиоактивные вещества высокочистые вещества полупроводниковые вещества (полупроводники) … Энциклопедический словарь по металлургии
радиоактивные вещества — [radioactive materials] вещества, содержат радиоактивные изотопы одного или нескольких элементов. Основная радиохимическая характеристика удельная радиоактивность: активность, отнесенная к единице объема или массы. Общую активность вещества в… … Энциклопедический словарь по металлургии
полупроводниковые вещества (полупроводники) — [semiconducting substances] широкий класс неорганических веществ с электронным механизмом электропроводности и промежуточной удельной электропроводностью между ее значениями для металлов (σ ≈ 104+106 Ом 1 • см 1) и хороших… … Энциклопедический словарь по металлургии
поверхностно-активные вещества (ПАВ) — [surfactants] вещества, способные адсорбироваться на поверхности раздела фаз и вызывать снижение поверхностного (межфазного) натяжения. Типичные ПАВ органические соединения, молекулы которых содержат лиофильные и лиофобные (обычно гидрофильные и… … Энциклопедический словарь по металлургии
Бурханов, Геннадий Сергеевич — В Википедии есть статьи о других людях с такой фамилией, см. Бурханов. Геннадий Сергеевич Бурханов … Википедия
ФОТОТЕРМОИОНИЗАЦИОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ — (ФТИС; в англоязычной лит ре PTIS) (устар. назв. фотоэлектрическая спектроскопия) метод спектроскопии полупроводников (ПП), в к ром хим. природа, энергетич. спектр и др. характеристики примесей, примесных комплексов и др. дефектов ПП определяются … Физическая энциклопедия
РЕАКТИВНЫЕ ИНДИКАТОРНЫЕ БУМАГИ — впитывающие бумаги, к рые содержат закрепленные на них т. наз. хромогенные реагенты, изменяющие цвет при взаимод. с определенными в вами. Р. и. б. получают пропил кой бумаги хромогенными реагентами обычно в смеси с вспомогат. в вами компонентами… … Химическая энциклопедия
Карабаш, Алексей Георгиевич — В Википедии есть статьи о других людях с такой фамилией, см. Карабаш (значения). Алексей Георгиевич Карабаш Дата рождения: 10 февраля 1912(1912 02 10) Дата смерти: 2003 год(2003) … Википедия
highly purified materials — Смотри высокочистые вещества … Энциклопедический словарь по металлургии
